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熱式氣(qì)體質量流(liú)量計恒功率(lǜ)法(fǎ)原理講解

作者: 青天儀表 編輯: 青天小編 來源: 熱式氣體質量流量計廠(chǎng)家 發布日期: 2020.03.19
信息摘要:
氣體質量(liàng)流量計可以對氣體的質量流量進(jìn)行精密測(cè)量和控製。它在多個領域的科研和生產中有著重要而廣泛(fàn)的運用本次要介紹(shào)一(yī)種熱(rè)式質量(liàng)流量計,它具有精度…

氣體質量流量計可以對氣(qì)體的質量流量進行精密測量(liàng)和控製。它在多個領域的科研和生(shēng)產中有著重要而廣(guǎng)泛的運用;本次要(yào)介紹一(yī)種熱式質量流量計(jì),它(tā)具有(yǒu)精度高,重複性好,響應速度快(kuài),軟啟動,穩(wěn)定可靠,工作壓力(lì)範圍寬等特點。操作使用起來方便,可以任意(yì)位置安裝,配合流量顯示儀或其(qí)他流量控製顯示儀使用,相對其他流量計來說(shuō),熱式質量流量計(jì)能勝任大流量和高溫介質的測量工作要求。

一、恒功率法

恒功率法(溫度測量法)是以恒定功率為鉑熱電阻提供熱量,使其加(jiā)熱(rè)到高於氣體的溫度,流體(tǐ)流動帶(dài)走鉑熱電阻表麵一部分熱量(liàng),流量越大,溫度降越大,測量隨流體流量変化的溫度,可以反映氣體流量(liàng)。有(yǒu)以下兩種實現方法:

(1)隻對一隻鉑電阻加熱,由熱擴(kuò)散原理測量溫差

原理:與恒溫差式流量計(jì)的結構類似,在測量管路中同樣(yàng)加入兩個金屬鉑電阻(zǔ),一個為用於(yú)測量(liàng)被測(cè)流體溫度的測溫電阻,另一個為用於測量被測流體速(sù)度的測速(sù)電阻。在加熱器上加上一個恒定的功率(lǜ)對測速鉑電阻加熱,流體在靜止時測速鉑電阻和(hé)測溫鉑電阻表麵(miàn)溫(wēn)度差△T21=Ts2-Ts1 ZUI大,隨著介質的流動,兩個鉑電阻表麵溫度差減小。流體的流(liú)量越大,兩隻鉑電阻的溫差越小。鉑電阻連接在惠斯通電橋中,鉑電阻的(de)溫度不同使鉑電阻的電(diàn)阻呈現不同阻值,從(cóng)而使電橋不平衡(héng),通過檢(jiǎn)測電橋的(de)電壓差來反應流體流量。

熱式氣體質量流量計

該恒功率式質量流量計存在的(de)問題:若流體的密度為p,流速(sù)為μ,加熱鉑電阻被流體(tǐ)帶(dài)走(zǒu)的(de)熱量為Q,測溫鉑電阻和測速(sù)鉑電阻的溫度差為△T21,則有關(guān)係式:Q/△T21=k1+k2(p・u)k3式中對於組(zǔ)分一定的流體,k1、k2、k3為常數在橫截(jié)當(dāng)S的管路(lù)中,質量流量qm=p・u・S。測量(liàng)過程中,測(cè)速(sù)鉑電阻被電流加熱,在熱平衡狀態下,電流的加熱功率與測速鉑電阻(zǔ)被帶走的熱量處於平衡狀態,即Q=I²·Rs2。因(yīn)此質(zhì)量流(liú)量qm與Q/△T21成一一對應的(de)關係,可表(biǎo)示為:qm=f[I²·R32/△T21]當加熱電流(liú)不變,通過測(cè)出流體的溫差(chà)△T21計算流體的質量流量時,忽略了測速(sù)鉑電阻Rs2隨溫度的變化,會(huì)造成誤差(chà)。

2)對兩隻對稱的鉑電(diàn)阻進行加(jiā)熱,由熱平衡原理計算溫度差。

傳感器的結構是把兩個全相同的鉑電阻對稱的固定在熱源的兩側,放置在(zài)流體中。采用一個恒流源(恒壓源)對熱源加熱,流體流動使兩(liǎng)個鉑電阻的溫度不同。鉑電阻連接在惠斯通電(diàn)橋(qiáo)中,鉑電阻的溫度不同使鉑電阻的電阻呈現不同阻值,從而使電橋不(bú)平衡,通過檢測電橋的(de)電壓來反應流體(tǐ)流(liú)量。

現從(cóng)傳熱學角度對該傳感器(qì)原理作進一步的(de)分析。假定流體(tǐ)為均勻分布的牛頓型流體,以一維測量為例:如圖1所示,熱源R置於傳感(gǎn)器基片的中心(xīn),在其兩邊(biān)對稱地放置兩個完全相同的溫度(dù)檢(jiǎn)測芯片(薄膜式鉑電阻)S1和S2傳感器與流體之間的熱交換主要通過對(duì)流進行,熱源與溫度檢測芯片之間(jiān)的熱交換可通過傳導和對流進行(háng)。

當流體流速為零,即當流體處(chù)於(yú)靜止狀態時,表麵附近(jìn)的流線場(chǎng)及主要由此產生的溫度場相對於熱源呈對稱分布。由於結構上的對稱性,通過基片熱傳導進行的熱交(jiāo)換相對於熱源始終是對稱的。此時感溫芯片的鉑電阻溫度滿足Ts1=Ts2,即溫差:△T21=Ts2-Ts1=0。當流(liú)體流動時,流體和(hé)鉑電阻之間主要為對流換熱,由於局部對流換熱係數的不同,基(jī)片表麵附近(jìn)的流線場(chǎng)及相應的溫度場(chǎng)相對於中心熱源的分布發生變化,導致傾向性的不對稱分布(bù)。根據熱邊界層理論,可知,此(cǐ)時上遊溫度檢(jiǎn)測芯片表麵(miàn)冷卻速率高於(yú)下遊芯片表麵,即鉑電阻S1的換熱係數大於S2是(shì)換熱係數,所(suǒ)以Ts2Ts,溫差溫度差:△T21=Ts2-Ts1>0。且△T2的值隨流體流速(sù)的増大而增大。如果改變(biàn)流體流向,△T21亦相應改變符號利用熱平衡方程可以計(jì)算出因對流引起的芯片表麵的(de)溫度再分布(bù),獲得溫度差(chà)與流速的關係式。

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